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碳化硅率模块的点
Hybrid SiC Module混合碳化硅和SiC MOSFET率模块结合了成熟的工业标准率模块和封装技术的点。得益于多种封装化，碳化硅的各种点得以充分利用。
碳化硅率模块换向电感低可以实现SiC MOSFET的全速开关。高的开关速度可以转换成高的开关频率，从而得到小的磁过滤器 元件。同时可以低开关耗，提高系统率。精的材料和封装技术可以将芯片与散热片之间的热阻至小，从而实现高的率度。
碳化硅率模块的关键特
高的开关频率，够化滤波元件并低其成本
冷却设备紧凑，低率耗，从而提升率并低系统成本和规模
新的碳化硅SiC MOSFET芯片
标准工业封装，按照碳化硅的要求进行化：电感，低热阻
对实际应用化芯片组 
碳化硅率模块的应用 
太阳能逆变器：升压电路和逆变器应用
储能系统：大率和低噪声
UPS：高双转换系统
电机驱动器：主动前端与电机侧（混合碳化硅和SiC MOSFET 三相全桥和半桥）
电源：应用、感应加热等的助电源
先的芯片和封装技术，实现大能
混合碳化硅模块：率耗低50，用简便
IGBT开关与碳化硅肖特基二管相结合
几乎没有二管耗，并显著少IGBT开关耗
高速IGBT和碳化硅肖特基二管使关耗低50
轻松实现成本化的碳化硅解决方案：动器或系统无需进行... [详细介绍]